안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57151
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68673
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92186
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8707
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3523
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14771
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1326
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 860
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2262
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1354
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 702
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 979
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 723
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 706
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1453
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1975
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 788
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2002
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1443
609 전자 온도 구하기 [1] file 1123
608 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319

Boards


XE Login