안녕하세여

ETCH 공정 관련된 일을 하고 있습니다

임피던스 매칭에 대하여 공부를 하고 있는데

제너레이터의 임피던스와 챔버의 임피던스를 매칭 시켜 REFLECT POWER 가 발생하지 않도록 하는데

임피던스에는 실수부와 저항부가 있다고 알고 있습니다.

통상적으로 PLASMA 에서 사용하는 저항은 50 옴인데 제너레이터의 저항이 50옴 이라는 것인가요??

제너레이터의 저항도 임피던스라면 허수부가 존재할 것이라고 생각해서 50옴 + 허수부 저항도 있진 않을지 궁금합니다. 아니면 제너레이터의 저항은 coxial cable 의 저항만을 의미하는 것일까요?? 

또, 챔버에서 저항은 매쳐와 하나가 되어 변화될텐데 매쳐가 실수부 또한 변경 가능한지 궁금합니다.

챔버 내의 PARTS가 식각이 된다면 챔버의 R 값은 변화할텐데 매쳐의 TUNE, CAP 은 허수부의 REACTANCE 값만

변화시킨다고 알고 있습니다. 매쳐가 실수부 R 의 값을 변화시키지 못한다면 아무리 매쳐가 일을 한다하더라도 

챔버 내 PARTS들의 식각에 의해 임피던스가 틀어지고, REFLECT 가 뜨진 않을지 궁금합니다.

스미스차트상 capacitance 혹은 inducrance 를 변경하면 실수부도 변화가 되는 거 같아 보이는데

실수부도 같이 변화가 되는 걸까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1306
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 999
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 850
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2250
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1518
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1327
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 702
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 959
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 718
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 698
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1445
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1949
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 777
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1941
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1425
609 전자 온도 구하기 [1] file 1098
608 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 313
607 CVD 공정에서의 self bias [1] 3030
606 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3314
605 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062

Boards


XE Login