Plasma Source Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생

2020.01.08 19:18

MUF 조회 수:800

안녕하세요?

저는 국내 PKG회사에 다니고 있는 공정 Eng'r입니다.

PKG공정에서 O2 Plasma 처리후 봉지재(Epoxy Mold Compound)를 밀봉하는 공정이 있는데

봉지재내의 Filler가 Si 계면과 분리되고 봉지재의 Resin만 Si 기판에 Molding이 되는 현상이 발생합니다.

Googling을 해 본 결과, Electrostatically charge된 Filler가 Plasma를 맞은 기판과 같은 Charge를 띄었을때 이 증상이 날 수 있다고 합니다.

Plasma별 대전된 극상(+인지, -인지)을 알 수 있을까요?

참고로 저희 회사에서는 O2, N2, Ar을 사용할 수 있습니다. 장비의 Parameter를 변경하여 극성을 바꿀 수 있는지도 문의드립니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20173
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
629 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1307
628 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2008
627 ICP와 CCP는 단순히 플라즈마를 생서하는 방법인가요? [1] 8716
626 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3531
625 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14783
624 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1330
623 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
622 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 862
621 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2269
620 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
619 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1365
618 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 703
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 983
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 724
615 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 707
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1456
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1984
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 789
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2013
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1450
쓰기
태그

Boards

XE Login