Chamber component 알고싶습니다
2020.09.09 11:31
안녕하세요. 반도체 장비부품쪽 업종에서 일을 하고 있습니다.
현재 Etch 장비를 Coating 후 1Cycle을 사용한 후 Particle Issue가 일어나 중간에 세정을 진행하여 장착하면 E/R값이 상승합니다.
E/R값을 잡기 위해서 세정후에 Coating면에 Plasma를 조사하면 어떨까 하는데 효과가 있을지가 궁금하고 E/R값이 전반적으로 어떤 것에 영향이 미치는지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
623 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 999 |
622 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 850 |
621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2252 |
620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1520 |
619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1328 |
618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 702 |
617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 961 |
616 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 718 |
615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 698 |
614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1446 |
613 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 1950 |
612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 779 |
611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 1947 |
610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1427 |
609 | 전자 온도 구하기 [1] | 1099 |
608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 313 |
607 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3034 |
606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3315 |
605 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1062 |
604 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! | 1855 |
실공정에서는 seasoning으로 이 문제를 해결하는 것으로 알고 있습니다. 식각의 경우 벽면에 흡착된 F가 탈착하면서 식각률을 키우는 것으로 예상됩니다. 이는 역으로 전공정에서 F의 벽면 흡착이 진작되고 있음의 반증이기도 하여, 세정 후 시스닝 과정을 거쳐 이전 공정 상태와 유사한 표면 상태를 만들고 공정을 진행하게 됩니다. 원론적인 말씀을 드렸습니다. 재료와 공정 가스 및 조건에 따를 것으로 운용 장비의 플라즈마 데이터와 공정 데이터 및 부품 표면 특성에 대한 정보를 종합해서 데이터를 취합하시면 좋을 것 같습니다. 부품-장비-공정이 물리는 문제이며, 이는 최근에 장비 및 공정 이슈인 TTTM (tool-to-tool matchi: 장비간의 이격 해소 방법을 찾기 위한 중요한 자료로서 가치가 큼) 까지 고려하는 것이 좋을 것 같습니다. 가급적 부품의 재료/제작/표면 상태 에 대한 정보를 많이 찾아서 비축해 두시기 바랍니다. (데이터가 큰 값어치를 할 때가 올 것이니 대비하시는 것이 좋습니다) 참고가 되었으면 합니다.