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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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784 |
Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath]
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783 |
Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다.
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782 |
Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화]
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781 |
CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화]
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780 |
인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath]
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779 |
HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking]
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778 |
CVD 박막 Clean 중 Ar에 의한 Etch 여부가 궁금합니다. [Ar plasma chemical etching]
[1] | 295 |
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777 |
플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [대기압 환경 플라즈마와 라디컬 분포]
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776 |
FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석
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775 |
ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias]
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774 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마]
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773 |
ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산]
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772 |
Microwave & RF Plasma [플라즈마 주파수와 rate constant]
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771 |
Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막]
[1] | 315 |
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770 |
RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral]
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769 |
ICP dry etch 시 공정 문의 사항.
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768 |
대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해]
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767 |
Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator]
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766 |
Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료]
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765 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정]
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