안녕하십니까

 

CVD 공정 관련해서 업무를 하고 있는데,

증착 후 챔버 안에 남아있는 막질을 제거하는 Clean 중 궁금한 점이 있어 질문을 쓰게 되었습니다.

 

 

먼저 Clean 시에는

NF3와 Ar을 RPG (Remote Plasma Generator)를 통해 radical과 이온으로 만들어져 챔버로 들어옵니다.

챔버에는 bias가 걸리지 않고 그냥 가스들만 들어옵니다.

 

이때 막질인 SiO2는 F와 반응하여 SiF4로 기상 생성물을 만들어 화학적 에칭으로 제거가 됩니다.

그런데 막질과 달리, 막질 밑에 있는 세라믹인 AlN은 고형 생성물이 생성입니다. 하지만 이 생성물이 계속해서 식각이 되는 것을 파악했는데, 화학적으로는 상변화나 식각이 500-550도 온도에서 불가능해 보여서 혹시 Ar이나 NF*에 의해서 물리적으로 스퍼터링 처럼 식각이 되는 지 궁금합니다.

챔버 압력이 2Torr-6Torr로 높아서 아닌 것 같긴한데, 그거 말고는 떠오르는 게 없습니다.

 

그리고 물리적 식각이라면 400와 550도 그리고 2Torr 와 8Torr에서 식각률 차이가 매우 클까요?

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