안녕하십니까, 교수님 저는 반도체 공정 엔지니어입니다.

질문 1) 유량에 따른 Plasma density 확인하는 방법

현재 사용중인 챔버에서 유량에 따른 Plasma density를 대략적으로 확인하고 싶습니다.
따로 장비가 없기 때문에, SiN가 F 라디칼에 의해 주로 식각되고, F 라디칼의 농도 F/CFx = Plasma density * residence time이므로
SiN 식각량이 가장 높을 때 F 라디칼의 농도가 높고, 해당 조건에서 가장 Plasma density가 높은 지점이라고 생각하려고 하는데
이러한 개념으로 유량에 따른 Plasma density를 구해도 괜찮은지 여쭤보고 싶습니다.

실험 방법으로 SiN 기판을 사용할 예정인데, CF4/Ar 비율을 어떻게 바꿔가면서 하는게 맞을지 모르겠습니다.
CF4 = 5 sccm 고정 후 Ar을 600, 1200, 1800으로 할지
아니면 CF4/Ar = 5/600sccm, 10/1200sccm, 15/1800sccm으로 비율은 그대로 가져가는게 맞을지 모르겠습니다.

질문 2) N2 -> Ar으로 바꾸었을 때 Plasma density 차이

기존에 SiN 식각 레시피에서 N2를 사용했는데 동일한 유량으로 Ar로 바꾸었을 때 SiN의 식각량이 증가하였는데
이는 Ar에 의해서 Plasma density가 증가하고 F 라디칼 증가로 SiN 식각량이 높아진 것으로 생각하면 될지 궁금합니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

감사드립니다.