안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

ICP-RIE system에서 전극의 RF bias에 따른 플라즈마 밀도 변화가 궁금해져 이에 대한 논문을 찾아보던 중, 글로벌 유체 모델에 의해 안테나 코일/전극에 인가된 전력에 비례하고, 소실된 에너지에 반비례한다는 내용을 찾았습니다.

여기서 소실된 에너지는 "1. 전자가 충돌로 잃는 에너지. 2. 이온의 wall 폭격 에너지 3. wall로 나가는 전자의 운동에너지"의 세개의 텀으로 구분되었습니다.

아직 플라즈마에 대한 지식이 얕아 기본적인 용어에서도 헷갈리는 부분이 있습니다.

이온 충돌 에너지는 플라즈마 전위&전극의 self bias 전위의 차에 비례하는 것으로 알고 있는데, 그렇다면 상기의 wall=electrode인 것인가요?

그렇다면, "3"은 쉬스를 극복하고, 음전위의 전극을 통해 빠져나가는 전자의 운동에너지를 의미하는 것이 맞는지 여쭤보고 싶습니다.

같은 원리로 CCP의 경우, 전자가 Anode 뿐만 아니라, 충분한 운동에너지를 가지고 Cathode에 도달하여 이를 통해 빠져나갈 수 있을까요? 

양이온의 경우 Cathode와 충돌 후 소수의 이온만이 재결합된다고 알고 있는데, 그렇다면 일부 양이온은 cathode를 통해 빠져나갈 수 있나요? 

감사합니다.