Others Plasma source type

2004.06.25 16:49

관리자 조회 수:46121 추천:321

질문 ::

CCP?
ICP?
TCP?
위 3가지 type에 자세한 설명을 부탁드립니다
감사합니다

답변 ::

자세한 설명은 이미 설명드린 사항을 참고하시기 바랍니다.
CCP=capcitively coupled plasma source
oscillated electrice field 에 의한 breakdown이 주요 발생원이며
전극 근방에서 oscillated sheath에서의 전자 가열이 플라즈마 밀도를
높이게 됩니다.
ICP=inductively coupled plasma source
이름 그대로 안테나 전류에서 발생되는 자기장에 의한 유도 기전력에
의한 전자의 가속으로 전자에너지가 커지고 충돌에 의해 플라즈마가
발생하게 됩니다. 따라서 안테나 근방의 전자기장이 삽입되는 영역에서
전자가열이 크고 플라즈마가 발생하여 공간내로 퍼지게 됩니다.
CCP와의 차이는 전자가 에너지를 받는 길이 CCP는 전극과 전극사이
길을 통하며, ICP는 공간내의 원형길을 따라서 생성됨으로 생성효율이
좋게 됩니다.

TCP는 ICP의 한 형태로 생각해도 무방합니다. TCP는  ICP의 일부를 변형시킨 Lam사의 장비의 고유이름입니다. 플라즈마 발생 메카니즘은
ICP와 동일합니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48553
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49550
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 54960
542 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 45
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 51
540 플라즈마 살균 방식 [1] 58
539 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 61
538 표면상태에 따른 코팅 전후 비교(PVD) [2] file 68
537 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 70
536 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 82
535 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 85
534 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 89
533 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 117
532 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 143
531 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 155
530 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 160
529 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 175
528 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 183
527 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 184
526 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 185
525 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 186
524 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 186
523 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 187

Boards


XE Login