Plasma in general 산소 플라즈마에 대한 질문입니다...
2018.11.15 10:26
이제 막 플라즈마에 대해 공부하고 있는 학생입니다.
산소와 아르곤 플라즈마를 이용해 물질을 처리하려고 하는데요
실험전에 아르곤플라즈마와 산소플라즈마를 조금씩 섞어줄 떄 온도 변화를 먼저 측정해 봤었는데요
산소를 섞어줄수록 중심으로부터 안테나부근의 온도들은 아르곤만 있었을 때보다 떨어졌으나
거의 챔버의 끝에서는 오히려 산소플라즈마를 섞은 것이 온도가 더 높게 측정되었습니다..
이유가 무엇일까요..?
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20181 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 8 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 33 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 62 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 77 |
782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 85 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
779 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 108 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 111 |
777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 111 |
776 | skin depth에 대한 이해 [1] | 123 |
775 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 124 |
773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 136 |
771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 146 |