Etch 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
2018.09.19 13:15
안녕하세요.
궁금한 점이 있어 질문 드립니다.
일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면
그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?
임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,
미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.
예를 들어주셔도 됩니다.
이상입니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] | 2317 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 12799 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 49615 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 61099 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 79282 |
| 479 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 845 |
| 478 |
CCP 챔버 접지 질문드립니다.
[1]  | 859 |
| 477 | 플라즈마 코팅 [1] | 865 |
| » | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 867 |
| 475 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 872 |
| 474 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 874 |
| 473 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 883 |
| 472 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 884 |
| 471 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 896 |
| 470 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 897 |
| 469 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 905 |
| 468 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 908 |
| 467 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 911 |
| 466 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 928 |
| 465 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 929 |
| 464 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1] | 935 |
| 463 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 942 |
| 462 | 자기 거울에 관하여 | 952 |
| 461 | 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] | 960 |
| 460 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 964 |
당연합니다. 챔버 임피던스의 정의가 서로 다를 수 있겠지만, 운전 중에 측정된 chamber impedance라면 당연히 chamber 내의 plasma 정보를 포함할 수 밖에 없고, 그 변화가 유발되었다는 것입니다. 물론 chamber의 열화 및 노후화로 인한 변화도 포함될 수 있겠지만, 그 어떤 경우라도 chamber impedance의 변화는 coupling power의 변화로 부터 야기된 공정 변화, 혹은 공정 드리프트의 진단 인자가 될 수 있습니다. 하지만 이를 FDC로 쓰기 위해서는 면밀한 해석이 필요하겠지요. 중요한 공정진단 기술을 확보하셨습니다. 실용 기술로 잘 발전시켜 보시기 바랍니다.