Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2299

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
503 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
502 ICP lower power 와 RF bias [1] 1406
501 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1412
500 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1414
499 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
498 MATCHER 발열 문제 [3] 1425
497 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1427
496 Ar plasma power/time [1] 1429
495 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1437
494 알고싶습니다 [1] 1438
493 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1442
492 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1446
491 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1448
490 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1449
489 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1451
488 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1453
487 charge effect에 대해 [2] 1454
486 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1456
485 plasma 형성 관계 [1] 1466
484 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1472

Boards


XE Login