Others Plasma source type
2004.06.25 16:49
질문 ::
CCP?
ICP?
TCP?
위 3가지 type에 자세한 설명을 부탁드립니다
감사합니다
답변 ::
자세한 설명은 이미 설명드린 사항을 참고하시기 바랍니다.
CCP=capcitively coupled plasma source
oscillated electrice field 에 의한 breakdown이 주요 발생원이며
전극 근방에서 oscillated sheath에서의 전자 가열이 플라즈마 밀도를
높이게 됩니다.
ICP=inductively coupled plasma source
이름 그대로 안테나 전류에서 발생되는 자기장에 의한 유도 기전력에
의한 전자의 가속으로 전자에너지가 커지고 충돌에 의해 플라즈마가
발생하게 됩니다. 따라서 안테나 근방의 전자기장이 삽입되는 영역에서
전자가열이 크고 플라즈마가 발생하여 공간내로 퍼지게 됩니다.
CCP와의 차이는 전자가 에너지를 받는 길이 CCP는 전극과 전극사이
길을 통하며, ICP는 공간내의 원형길을 따라서 생성됨으로 생성효율이
좋게 됩니다.
TCP는 ICP의 한 형태로 생각해도 무방합니다. TCP는 ICP의 일부를 변형시킨 Lam사의 장비의 고유이름입니다. 플라즈마 발생 메카니즘은
ICP와 동일합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76713 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20169 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68694 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92269 |
147 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19539 |
146 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19640 |
145 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19657 |
144 | DC SPT 문의 | 19680 |
143 | Noise 문제, 탐침에 의한 식각 플라즈마의.. | 19687 |
142 | cross section 질문 [1] | 19711 |
141 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19712 |
140 | PM을 한번 하시죠 | 19726 |
139 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19728 |
138 | 상압플라즈마에서 온도와의 관계를 알고 싶습니다. | 19759 |
137 | 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] | 19776 |
136 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19834 |
135 | CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 | 20008 |
134 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 20019 |
133 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 20039 |
132 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20203 |
131 | DBD플라즈마와 플라즈마 impedance | 20207 |
130 | 플라즈마 matching | 20235 |
129 | 형광등과 플라즈마 | 20246 |