안녕하세여... 자료를 찾던중 도저히 모르겠어서 답변 부탁드립니다. 현재 H2 플라즈마로 표면 처리를 하고 있습니다. 그러나, 폴리머 계통이 잘 Ashing되지 않아, O2를 쓰려고 합니다. 몇몇 업체에서는 미량의 산소를 수소와 함께 쓰는 것으로 알고 있습니다. 그러나 산소와 수소가 섞이면 반응하는 것으로 알고 있어서 위험할 것 같아서 질문드립니다. 수소 플라즈마에 산소를 섞으면 얼마의 비율로 섞어야 하는지 궁금합니다. 정확한 수치가 없다면, 제가 찾아봐야할 관련자료라도 알려 주시면 고맙겠습니다. 감사합니다. 답변 꼭 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 111495
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 27841
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 65113
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 76926
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 111194
76 DC glow discharge 23509
75 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23534
74 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [Remote plasma의 Radical] [1] 23649
73 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 23682
72 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24238
71 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24261
70 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24342
69 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24364
68 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24514
67 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24531
66 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24734
65 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24795
64 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24987
63 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 25015
62 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 25100
61 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 25119
60 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25264
» H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 25299
58 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 25361
57 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25380

Boards


XE Login