안녕하세여... 자료를 찾던중 도저히 모르겠어서 답변 부탁드립니다. 현재 H2 플라즈마로 표면 처리를 하고 있습니다. 그러나, 폴리머 계통이 잘 Ashing되지 않아, O2를 쓰려고 합니다. 몇몇 업체에서는 미량의 산소를 수소와 함께 쓰는 것으로 알고 있습니다. 그러나 산소와 수소가 섞이면 반응하는 것으로 알고 있어서 위험할 것 같아서 질문드립니다. 수소 플라즈마에 산소를 섞으면 얼마의 비율로 섞어야 하는지 궁금합니다. 정확한 수치가 없다면, 제가 찾아봐야할 관련자료라도 알려 주시면 고맙겠습니다. 감사합니다. 답변 꼭 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22613
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59307
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71049
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98089
68 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24082
67 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24130
66 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24143
65 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24179
64 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24301
63 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24352
62 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24617
61 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24699
60 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24801
59 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24865
58 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 24899
» H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 24928
56 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 24948
55 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25043
54 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 25143
53 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25149
52 plasma와 arc의 차이는? [Arc의 temperature] 25372
51 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25664
50 충돌단면적에 관하여 [2] 26455
49 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity] [3] 26602

Boards


XE Login