Sheath wafer bias

2019.06.28 14:49

cassowary 조회 수:645

반도체 장비관련 업체에서 재직중인 사람입니다.

아직 플라즈마 관련하여 공부한지 얼마 되지 않아 많이 부족한ㄷ네

여기서 많은 도움을 얻다 막히는 것이 있어 질문 올리게 되었습니다.



bias 에 대해 보고 있는데


보통 RF플라즈마 내에서 극판 크기에 의한 전위 차에 의해 자연스레 웨이퍼 구간에 - 전압의 self bias가 인가 되고

이를 식각이나 증착 시 Ar+이온의 속도와 방향성을 높여줘 식각과 증착의 성능에 영향을 주는 것으로 알고 있습니다.

이런 self bias 를 증가시키기 위해 척 쪽에 RF sorce 를 인가하여 bias 를 높이는 것으로 들었습니다.

( 틀린 부분이 있다면 수정 부탁드립니다. )


1. 척에 DC 전압을 인가했을 경우 영향을 알고 싶습니다.

기본적으로 척과 웨이퍼가 부도체이기 때문에,

DC전압을 인가하면 인력으로 끌려온 Ar+ 입자가 다시 전자를 얻고 떨어지지 못하고

Ar+ 이온이 표면에 계속 누적되면서 성능에 악영향을 끼친다고 생각됩니다.

이 생각이 맞는지, 잘못된 것이 있거나 추가할 내용 부탁드립니다.



2. 척이나 히터가 아닌 웨이퍼에 전원을 직접 인가하는 경우가 있는지 알고 싶습니다.

그리고 그런 경우가 있다면, 어떤 이점을 얻을 수 있는지

없다면 왜 안하는지(불가능한지) 에 대해 간략히 설명 부탁드립니다.

제생각은 웨이퍼에 전원을 인가하는 것 자체가 구조적으로 어렵기 때문에

전원 인가가 용이한 척에 전원을 인가하는거라 생각하고 있습니다.



p.s. 실명으로 질문을 올려라 하셔서 개인정보에서 수정하였는데

질문에 올라가는건 아이디만 올라가서 실명노출이 안되네요..재가입을 해야하는건가요?

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