Chamber component 알고싶습니다
2020.09.09 11:31
안녕하세요. 반도체 장비부품쪽 업종에서 일을 하고 있습니다.
현재 Etch 장비를 Coating 후 1Cycle을 사용한 후 Particle Issue가 일어나 중간에 세정을 진행하여 장착하면 E/R값이 상승합니다.
E/R값을 잡기 위해서 세정후에 Coating면에 Plasma를 조사하면 어떨까 하는데 효과가 있을지가 궁금하고 E/R값이 전반적으로 어떤 것에 영향이 미치는지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
663 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 594 |
662 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 598 |
661 | 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] | 599 |
660 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 601 |
659 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 614 |
658 | 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] | 617 |
657 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 629 |
656 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 633 |
655 | Polymer Temp Etch [1] | 635 |
654 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 641 |
653 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 650 |
652 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 650 |
651 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 651 |
650 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 652 |
649 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 661 |
648 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 673 |
647 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 673 |
646 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 675 |
645 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 676 |
644 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 678 |
실공정에서는 seasoning으로 이 문제를 해결하는 것으로 알고 있습니다. 식각의 경우 벽면에 흡착된 F가 탈착하면서 식각률을 키우는 것으로 예상됩니다. 이는 역으로 전공정에서 F의 벽면 흡착이 진작되고 있음의 반증이기도 하여, 세정 후 시스닝 과정을 거쳐 이전 공정 상태와 유사한 표면 상태를 만들고 공정을 진행하게 됩니다. 원론적인 말씀을 드렸습니다. 재료와 공정 가스 및 조건에 따를 것으로 운용 장비의 플라즈마 데이터와 공정 데이터 및 부품 표면 특성에 대한 정보를 종합해서 데이터를 취합하시면 좋을 것 같습니다. 부품-장비-공정이 물리는 문제이며, 이는 최근에 장비 및 공정 이슈인 TTTM (tool-to-tool matchi: 장비간의 이격 해소 방법을 찾기 위한 중요한 자료로서 가치가 큼) 까지 고려하는 것이 좋을 것 같습니다. 가급적 부품의 재료/제작/표면 상태 에 대한 정보를 많이 찾아서 비축해 두시기 바랍니다. (데이터가 큰 값어치를 할 때가 올 것이니 대비하시는 것이 좋습니다) 참고가 되었으면 합니다.