안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5889
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17344
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65098
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85183
578 전자 온도 구하기 [1] file 690
577 플라즈마 충격파 질문 [1] 694
576 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 699
575 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 700
» ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 707
573 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 708
572 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 709
571 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 727
570 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 728
569 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 730
568 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 730
567 문의 드립니다. [1] 732
566 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 732
565 플라즈마 관련 교육 [1] 735
564 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 740
563 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 742
562 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 746
561 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 746
560 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 756
559 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 761

Boards


XE Login