안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로

 

두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.

 

첫째는

O2만 넣고 플라즈마 했을 때  / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때

 대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)

그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고

RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해

측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은

기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.

 

둘째는

플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.

 

관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.

 

-플라즈마종사자 드림-

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [324] 90391
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23234
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59918
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71735
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 100539
670 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 847
669 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 850
668 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 864
» 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias] [1] 866
666 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 871
665 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 872
664 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [질소 플라즈마] [1] 890
663 ICP 대기압 플라즈마 분석 [Collisional plasma, LTE 모델] [1] 893
662 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 898
661 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [전극 설계 및 방전기 운전 모드 개발] [1] 900
660 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [핵융합 연구소 자료] [1] 920
659 플라즈마 진단 공부중 질문 [Balance equation] [1] 920
658 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다. [Corona breakdown, current density] [1] 926
657 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 928
656 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [Glow discharge process 이해] [1] 930
655 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 939
654 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 943
653 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 948
652 RF magentron sputtering시 플라즈마 off 현상 [Sputter 문제] [1] 950
651 새집 증후군 없애는 플러스미- 플라즈마에 대해서 [광운대 플라즈마바이오연구센터] [1] 955

Boards


XE Login