Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.
2019.05.22 16:11
안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.
다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.
Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데
Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서
평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?
제가 이 분야에 문외한이어서, 서울대학교 재료공학과의 황농문 교수님 혹은 성균과대학교 기계공학부의 김태성 교수님에게 문의드려 보시면 좋은 답변을 얻으실 수 있을 것 같습니다.