Sheath CVD 공정에서의 self bias

2021.06.13 19:47

박관호 조회 수:1322

안녕하세요 반도체 제조업에서 설비업무 맡고있는 저년차 사원입니다.

 

self bias 현상이 일어나게 되는 메커니즘을 3가지정도 배웠습니다.

1. RF 관점에서 순전류는 0이어야하기 때문에 더 크고 무거운 ion을 끌어오기 위해서 전극의 전위가 낮아지는 효과

2. 전극의 크기 차이로 인한 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

3. blocking capacitor에서의 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

 

실제로 CVD chamber 내 shower head보다 heater의 크기가 작고 blocking capacitor의 존재로 2번, 3번은 납득이 됩니다..

 

사내 semina에서 배우기로는 ETCH 설비와 다르게 CVD 설비는 shower head에 RF가 인가되고 heater쪽이 접지로 연결되어 있다고 했는데..

그렇다면 1번 효과에 의해 heater가 아니라 shower head쪽 전극이 음극역할을 하게 되는건가요???

(http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=81598 에서의 답변 참고했습니다)

 

만약 맞다면, 2번,3번 효과의 경우 heater쪽 전위가 낮아지게 되는걸로 보이는데, 1번에 의한 효과와 서로 경쟁하는건가요????

 

학부출신으로 회사와서 아는건 없고 궁금한건 많은데 얕게 배운 지식으로 업무와 연관지으려 하니 힘이드네요 교수님..

많이 배워가고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5604
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16884
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51347
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64210
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84186
182 RF 전압과 압력의 영향? [1] 810
181 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 818
180 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 826
179 wafer bias [1] 827
178 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 841
177 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 841
176 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 873
175 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 877
174 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 937
173 플라즈마 코팅 [1] 957
172 Group Delay 문의드립니다. [1] 958
171 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 978
170 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 984
169 자기 거울에 관하여 1030
168 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1039
167 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1046
166 플라즈마 기초입니다 [1] 1108
165 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1188
164 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1190
163 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1198

Boards


XE Login