플라즈마 기초부분에서 에너지 분포와 이온화에 대한 질문입니다.
전자온도와 이온화 에너지가 주어져 있을때 에너지 분포(EEDF)를 이용한다면 전자의 약 %가 이온화에 기여하는지 어떻게 알 수 있는지요?
<구체적인 식이 궁금합니다. 예를 들어 전자온도가 3V , 이온화에너지가 약 15V라 한다면)
일정한 부피에 전자의 갯수가 정해져있을때 온도의 단위가 V(볼트)로 주어진다면 운동에너지를 어떻게 구할 수 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76540 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20077 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91696 |
192 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1040 |
191 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1054 |
190 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1062 |
189 | 전자 온도 구하기 [1] | 1099 |
188 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1101 |
187 | wafer bias [1] | 1119 |
186 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1124 |
185 | 자기 거울에 관하여 | 1130 |
184 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1134 |
183 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1145 |
182 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1211 |
181 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1216 |
180 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1232 |
179 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1266 |
178 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1279 |
177 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1308 |
176 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1320 |
175 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1336 |
174 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1382 |
173 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1384 |
전자의 에너지 분포함수를 Maxwell 분포로 가정하고 계산을 시작해 보세요. 에너지 함수로 변경하면 편리하며, 적분 구간을 이온화 에너지 부터 무한대 에너지까지로 적분해서 얻어지는 값이 이온화에 참여할 수 있는 전자 비율이 될 것입니다. 여기에 플라즈마 밀도와 플라즈마 부피를 곱하면 갯수가 되겠습니다. (전자 분포식은 모든 교재에서 쉽게 찾을 수 있겠습니다.)
만일 이들 전자들의 평균 운동에너지는 열에너지의 root 값으로 가늠해도 크게 무리가 없습니다. 즉 v_th = sqrt (Te/전자질량).
여기서 한 걸음 나가 보면, 일반적으로 공정 플라즈마에서는 Maxwell 분포를 벗어나는 경우가 많으면 이온화 에너지가 13eV 이상이므로
이 에너지 이상의 전자 수는 확률적으로 보면 매우 낮습니다. 이 영역의 전자 (이름하여 분포의 끝자락에 놓인 전자, 즉 tail 전자라 부르거나 high energy electron들이라 불림)의 미세한 변화가 플라즈마 밀도를 바꾸게 되고, 공정의 변화가 유발되기도 합니다. 따라서 공정 플라즈마에 관심이 있으면 이 tail의 변동에 주목해야 합니다.