질문 ::

플라즈마가전기적중성을띄는구체적이유와 제4의상태로구분하는기준은무엇인가요?

답변 :

플라즈마는 전기적으로 준중성상태를 유지하고 있습니다.
그이유는 일반적으로 플라즈마의 형성은 하나의 원자나 분자에
가속된 초기 자유 전자들에 의해서 이온화 반응에 의해서
플라즈마가 형성되는데 이때 하나의 이온과 하나의 전자가 만들어지며
이과정이 무수히 많이 일어나게 되어 이들 하전입자들에 의해서 디바이
차폐길이는 점차 짧아져서 반응기의 크기보다 매우 작게됩니다. 따라서
조그마한 전위의 변화가 플라즈마 내에서 일어난다 하더라도 그 전위의
변화는 차폐길이 밖에서는 쉽게 탐지되기 힘들며 이 말은 다른 의미로
플라즈마가 외부 교란에 대해서 스스로 잘 보호한다는 의미도 됩니다.

또한 플라즈마를 제4의 물질 상태라 하는데 물질의 상태가 바뀌게 되는
상태변화의 시기에는 인가되는 열량에 따라서 물질의 온도가 변하지 않고 내부에너지만 변하는 시점을 경계로 합니다. 즉 얼음의 경우 고체에서 물로 변할때 80kcal가 필요하고 물에서 수증기가 될때 540kcal가
필요합니다. 이런 에너지들은 격자간의 간격을 떨어뜨리고 분자의
운동을 활발히 하거나 분자들이 분리되는데 사용되는 에너지 입니다.
만일 수증기나 물 분자에 에너지가 더 인가된다면 이때는 물분자가
해리되고 분자나 원자의 최 외각전자들이 궤도를 이탈하여 자유전자가
되는 이온화 반응이 일어나며 원자의 경우 양전하를 띄는 핵과 음전하
를 갖는 전자들로 분리되게 됩니다. 이러 이온화된 개스 상태가 존재하게 되는데 이런 상태를 플라즈마 상태라 하고 기체상태와 구분하여
제4의 물질상태라 부릅니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92264
173 플라즈마 관련 교육 [1] 1404
172 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1422
171 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1441
170 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1444
169 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1463
168 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
167 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
166 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1561
165 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1605
164 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1675
163 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1682
162 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
161 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1746
160 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1788
159 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1840
158 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1860
157 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1903
156 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1950
155 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1969
154 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1983

Boards


XE Login