안녕하십니까, 반도체 공정에 대하여 공부 중입니다. 

 

공부 시 몇 가지 질문 사항이 있어서 문의 드립니다.

 

1. Depoition 공정과 같은 Process 공정 시 SiH4 + N2O(O2) 등의 gas 사용하여 바로 공정을 진행하는데, 

   Remote Plasma Source를 이용한 NF3 Cleaning Prcoess 에서는 왜 Ar (Innert gas)를 이용해야만 Plasma 방전이 되는 건가요?

 

2.  물론 Deposition 공정 시 공정 조건을 위하여, Ar gas와 같은 불활성 기체를 쓰지만, Plasma 방전을 목적으로 쓰지는 않는데, 

    RPS의 경우 왜 NF3 gas만 이용 시 Plasma 방전이 안되는 것인가요?

 

물론 Deposition 공정 장비는 13.56MHz를 사용하고, RPS의 경우 400kHz를 사용합니다. 

 

혹시 이러한 주파수 차이와 연관이 있는 것인가요? 아니면 Gas의 결합 에너지의 차이와 연관이 있는 것인가요?

 

마지막으로 RPS의 Plasma 방전이 잘되게 하려면 어떠한 방법이 있을지도 함께 답변해주시면 감사하겠습니다.

 

 

감사합니다!

 

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