Plasma Source RF 변화에 영향이 있는건가요?

2018.09.06 07:36

프레스티지오너 조회 수:17510

반도체 공정과 관련하여 DIFF 공정 진행 간, TEMP와 RF 간에 상관 관계가 궁금하여 문의 드립니다.

NH3의 분해와 관련하여 상온 기준 RF POWER를 인가한다고 했을때 분해 가능한 수준이 어느 정도인지 궁금합니다.(W 기준)

그리고 추가로 문의 드리고 싶은 사항은 TEMP와 RF 간에 상관 관계입니다. TEMP가 변화하는 정도에 따른 RF의 변화 정도가 어떻게 되는지 궁금해서 문의 드립니다.

정답이 힘들다면 참고 및 이해할 수 있는 답변을 좀 부탁 드립니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20180
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
139 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 548
138 핵융합 질문 [1] 567
137 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 575
136 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 576
135 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 592
134 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 600
133 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 609
132 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 618
131 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 677
130 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 680
129 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 714
128 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 756
127 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 760
126 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 784
125 라디컬의 재결합 방지 [1] 789
124 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 800
123 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 800
122 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] 806
121 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 812
120 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 833
쓰기
태그

Boards

XE Login