안녕하세요.

반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.

SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.

몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.

다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.

1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?

2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?

3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?


작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
135 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 577
134 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 588
133 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 599
132 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 601
131 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 638
130 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 649
129 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 705
128 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 743
127 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 757
126 라디컬의 재결합 방지 [1] 778
125 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 782
124 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 790
123 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 791
122 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] 792
121 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 808
120 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 825
119 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 840
118 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 850
117 Plasma Generator 관련해서요. [1] 905
116 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 911

Boards


XE Login