안녕하세요, dry etch 관련 업종에서 일하는 직장인 입니다

 

현장에서 발생하는 문제에 궁금증이 있어 자문을 구하고자 합니다.

ETCH 공정이후 ASHING공정을 연속 PLASMA를 사용하여 스텝을 전환하는데요,

Ashing 공정으로 전환시 source reflect가 수준이 약해 매끄럽게 매칭이 되는 경우가 있는 반면, reflect 수준이 강하여 rf power drop이 발생하며 매칭이 되지 않는 경우가 종종 발생합니다, 이경우 심하면 esc에 arc가 주로 발생을 하는데...원인을 찾기가 어렵네요...

 

Matcher 파라미터(위상)변경 및 제너레이터 교체, esc교체 등을 해보았으나 여전히 power drop 현상이 남아있습니다. 여러개의 챔버를 대상으로 power drop 빈도수를 확인해보면 어떤 챔버는 power drop이 전혀 발생하지 않고, 어떤 챔버는 약  10%확률로 power drop이 발생합니다.

 

연속 plasma 공정 특성상 가스종류 및 프레셔가 급변하여 reflect가 발생은 예상했지만, 챔버별로 유의차가 나오니 원인을 trace 중입니다.

 

추정원인으로

-icp구조의 안테나측 capacitor가 내전압특성을 잃어서?

-Gas 종류의 변동(ar->o2)으로 esc chuck력이 약해져서?

로 생각이 되는데...relecct가 심하면 esc arc까지 발생되는 이유가 있을까요?

문제 해결을 위해 조언을 주신다면 감사하겠습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
115 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 948
114 anode sheath 질문드립니다. [1] 959
113 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 966
112 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 972
111 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1025
110 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1039
109 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1043
108 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1113
107 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1119
106 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1122
105 공정플라즈마 [1] 1136
104 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1143
103 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1176
102 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1193
101 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1204
100 플라즈마 챔버 [2] 1205
99 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1267
98 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1289
97 DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] 1322
96 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 1332

Boards


XE Login