Sheath 프리쉬스에 관한 질문입니다.
2019.03.07 20:36
랑뮤어 프로브에 관한 논문을 읽다가 궁금하게 생겨 질문 드립니다.
이온은 프리쉬스 영역에서 0.5(kTe/e)에 해당하는 전압강하를 통하여 bohm속도를 갖게되어 음극쪽으로 끌려가는 것으로 알고 있습니다.
논문에서는 음극에서 수집되는 전류밀도는 일정하므로 이온의 밀도는 감소하며 만약 이 이온의 밀도감소 속도가 전자의 밀도감소 속도보다 빠르게 될 경우 전자가 사라지기 전에 이온밀도가 감소하여 결국 순 전류가 음의 값을 가져 이온의 속도가 증가한다고 합니다. 따라서 이를 해결하려면 쉬스의 양의 공간 전하를 유지하기 위해 이온은 bohm속도에 해당하는 속도로 쉬스로 들어가야 한다고 나와있습니다.
이 부분이 이해가 되질 않습니다. 프리 쉬스에 의해 bohm속도에 도달한 이온들은 쉬스영역으로 더 잘 끌려간다는 말 아닌가요? 이렇게 되면 이온밀도는 더 감소하게되는것 아닌지... 쉬스의 양의 공간전하 유지를 위해 이온밀도 감소 속도를 낮춰야 한다면서 한편으로는 쉬스영역으로 더 잘 끌려갈 수 있게 bohm 속도를 가져야 한다니... 뭔가 역설적인것 같습니다..
또 프리 쉬스가 생기는 이유에 대해서도 궁금합니다.
또 다른 한 논문에서는 "이온-중성종 간의 약한 충돌이 지배적으로 일어나는 전통적 의미의 프리쉬스 영역이 존재함을 의미" 라고 적혀있는것을 보았습니다.
이온-중성종간의 충돌이 프리쉬스의 형성과 어떤 관련이 있나요?? 아니면 그냥 프리쉬스영역에서 이온-중성종간의 충돌이 일어난다는 뜻인가요??
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] | 75410 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19148 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56477 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67542 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89320 |
35 | Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] | 158 |
34 | KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] | 409 |
33 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 500 |
» | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 528 |
31 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 627 |
30 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 638 |
29 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 663 |
28 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 921 |
27 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 945 |
26 | wafer bias [1] | 1020 |
25 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1079 |
24 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 1512 |
23 | 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] | 1689 |
22 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2163 |
21 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 2471 |
20 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2485 |
19 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 2914 |
18 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4466 |
17 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8773 |
16 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8787 |