안녕하세요, 반도체 장비사에서 근무중입니다.

 

한가지 의문이 생겨 질문을 드립니다.

 

RPSC를 이용하여 SiO의 선택적 식각에 대한 질문입니다.

 

http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=62374

 

상기 내용을 보면, NH3,NF3의 gas가 해리 결합되어 F,NH4F 등의 Gas를 만들고 이 Gas들이 기판에 증착이 되는데

SiO의 바인딩 에너지가 111kcal mol, sif의 바인딩 에너지가 136kcal mol이기에 SiO와의 결합을 끊고, NH4)2SiF6의 필름을 형성, 100도씨에서 승화된다고 공부하였습니다.

 

여기서 제가 궁금한것은, Si도 F에 의해 Etching이 되기도 하고, Si Wafer의 결합에너지도 SiF보다 낮을텐데,  어떻게 SiO만 선택적으로 깎아내는것인지 궁금합니다. 

Si도 물론 깎여나가긴 하겠지만, SiO가 상대적으로 필름 형성이 더 잘되서 많이 깎여나가는 것인가요?

 

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