Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요

2010.01.20 17:55

송기철 조회 수:23758 추천:200

안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68692
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92268
182 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 56
181 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 61
180 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 108
179 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 169
178 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 173
177 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
176 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 196
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 205
174 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 214
173 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 228
172 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 231
171 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 250
170 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 290
168 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 314
167 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
166 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 364
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
164 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 394
163 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 397
쓰기
태그

Boards

XE Login