Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching]
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [317] | 82721 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21980 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58759 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 70390 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 96328 |
13 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24314 |
12 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] | 24870 |
11 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 25011 |
» | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] | 29300 |
9 | PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] | 29919 |
8 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30297 |
7 | [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] | 31369 |
6 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31784 |
5 | DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] | 31805 |
4 | RF에 대하여... | 32379 |
3 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32796 |
2 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35099 |
1 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43814 |