안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.




번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
162 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 399
161 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
160 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
159 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 441
158 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
157 PECVD Uniformity [1] 466
156 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 469
155 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
154 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 536
153 RF Sputtering Target Issue [2] file 570
152 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
151 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
150 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
148 Polymer Temp Etch [1] 635
147 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
146 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 672
145 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 686
144 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
143 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692

Boards


XE Login