안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76541
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20077
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
162 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 399
161 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
160 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 441
159 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 444
158 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 456
157 PECVD Uniformity [1] 467
156 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 469
155 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 536
154 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 536
153 RF Sputtering Target Issue [2] file 573
152 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 590
151 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
150 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
148 Polymer Temp Etch [1] 635
147 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
146 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 673
145 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 687
144 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
143 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692

Boards


XE Login