Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1271

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [219] 75419
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67550
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89340
132 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 775
131 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 835
130 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 889
129 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 906
128 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 906
127 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 929
126 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 966
125 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 977
124 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 981
123 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 983
122 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1038
121 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1053
120 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1089
119 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1093
118 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1120
117 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1185
116 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1189
115 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1212
» PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1271
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1306

Boards


XE Login