안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5816
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17268
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53095
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64493
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85107
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1667
93 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1674
92 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1940
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1959
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1969
89 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2003
88 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2185
87 Plasma etcher particle 원인 [1] 2240
86 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2243
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2446
84 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2452
83 PR wafer seasoning [1] 2478
82 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2538
81 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2749
80 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2770
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2839
78 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2961
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3033
76 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3180
75 플라즈마 색 관찰 [1] 3262

Boards


XE Login