안녕하세요.


RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.


미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
67 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 50
66 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 113
65 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 190
64 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 209
63 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 262
62 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 286
61 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 312
60 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 353
59 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
58 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 381
57 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 381
56 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
55 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
54 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
53 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
52 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
51 Polymer Temp Etch [1] 635
50 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
49 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 686
48 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 835

Boards


XE Login