안녕하세요 교수님

Etch시 센터와 사이드 etch rate이 다를 경우 어떤 공정 파라미터를 조절해야 하나요?


번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48709
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 50779
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 57199
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 newfile 110
38 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] new 178
37 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] new 195
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] new 273
» Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] new 306
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] new 325
33 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] new 424
32 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] new 427
31 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? new 429
30 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. new 550
29 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] new 653
28 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] new 682
27 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] new 713
26 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] new 760
25 etching에 관한 질문입니다. [1] new 783
24 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] new 815
23 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] new 989
22 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. newfile 1018
21 터보펌프 에러관련 [1] new 1167
20 Plasma etcher particle 원인 [1] new 1181

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