Etch 에칭후 particle에서 발생하는 현상

2004.06.19 16:44

관리자 조회 수:9044 추천:225

Etching 후에 particle에 발생하는 현상은 매우 일반적입니다. 사용하는 gas와 대상 시편간의 화합물 형성 조건과 반응기의 형태등에 따라서 particle 발생과 처리는 매우 심각한 문제를 야기하기도 합니다. 또한 이 같은 현상은 반응기 내부 구조에 따라 매우 민감하고 개스 흐름과도 밀접한 연관이 있습니다. 반응기 내의 구조에 특히 민감합니다.
실험에서처럼 polymer가 형성되는 경우는 일반적으로 processing 사이에 산소 플라즈마를 사용하여 반응기를 cleaning하는 방법을 사용하는 것으로 알고 있습니다. 물론 이용하고 있겟지요. 또한 반응기 구조에 개스 흐름이 모이는 곳이 없도록 내부 설계를 조절할 필요가 있을 것입니다.
저희 실험실에서는 플라즈마내에 particle이 통과 하였을 경우 particle표면에
얼마나 많은 전하가 하전되는 가를 공부하고 있습니다. 그 결과는 표면적에 비례하여 하전량이 증가하는 것을 알 수 있고 이 표면 전하에 의한 전위는 process중에 전기력을 형성하여 반응기 표면에 흡착되던가 자신의 중력을 상쇄하여 플라즈마내에 부유하고 있을 수 있습니다. 하지만 플라즈마가 꺼지고 표면 전하가 사라지게 되면 균형을 이루던 힘이 깨지고, 즉 전기력을 손실하여 중력에 다른 particle의 자유 낙하가 시작될 것입니다. 이때 gas flow에 다라서 particl 이 배기 되지 못하면 남은 particle은 처리 시편에 떨어지게 됩니다. 이 같은 사항을 고려하여 반응기 내부 구조 설계와 배기 설계 등을 하시면 도움이 될 것 입니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [101] 3645
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15335
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50574
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62988
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82075
27 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1360
26 etching에 관한 질문입니다. [1] 1399
25 터보펌프 에러관련 [1] 1441
24 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1487
23 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1735
22 Plasma etcher particle 원인 [1] 1973
21 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1998
20 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2365
19 PR wafer seasoning [1] 2376
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2751
17 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 2860
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3308
15 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3412
14 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3576
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3746
12 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4782
11 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5012
» 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9044
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 10631
8 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 12329

Boards


XE Login