쉬스 면에서의 플라즈마 균일도에 대한 질문으로 이해됩니다.

반응기 공간상에서 플라즈마 균일도는 반경방향으로 확산과 수직 방향의 확산에 의해 결정됩니다. 이 확산을 입자간의 충돌에 의한 확산으로 방향성이 없으며, 이 방향성을 규제하는 힘은 입력 가스의 유속 방향과 주변의 구조에 따릅니다. 즉 상하부의 전극 간격을 줄이는 이이유도 높은 밀도를 유지하면서 균일도를 높이려는 방안이 됩니다. 따라서 공정 결과는 동심원의 형태를 가질 수 밖에 없고 (따라서 가로x세로의 비를 갖고 있을 경우 각 모서리의 균일도 제어가 가장 큰 이슈가 될 수 밖에 없겠습니다.) 이에 대응책으로는 (중성 가스 분포 조절과 생성 플라즈마 밀도 조절 전략으로 나누어) 가스의 유속 방향을 조절하거나. 생성 플라즈마의 밀도를 높이는 방법 등이 가능할 것입니다. 따라서 가스 nozzle의 배치/방향/분포 조절, 표면 반응 진작을 위한 국지적 시편 온도 조절/. 마지막으로 국지적 플라즈마 생성률 강화 (이를 위해서 ICP의 경우 안테나 구조 변형을 하는 경우 등) 등이 있겠습니다. 다만, 근원적인 해결책으로는 공정 대상에 맞춤형 장비 개조가 필요해 보이고, 범용 장비 보다는 특화된 장비를 개발하는 전략이 효율적일 수 있겠습니다.