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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[268]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20169 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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788 |
RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문
[1] | 24 |
787 |
내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다.
[1] | 51 |
786 |
Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다.
[1] | 56 |
785 |
자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문
[1] | 61 |
784 |
스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다
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783 |
Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문
[1] | 74 |
782 |
RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다.
[1] | 79 |
781 |
반사파에 의한 micro arc 질문
[2] | 81 |
780 |
RF generator의 AMP 종류 질문입니다.
[1] | 100 |
779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1] | 102 |
778 |
Microwave & RF Plasma
[1] | 109 |
777 |
sputtering 을 이용한 film depostion
[1] | 109 |
776 |
ICP에서의 Self bias 효과
[1] | 117 |
775 |
skin depth에 대한 이해
[1] | 120 |
774 |
챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해
[1] | 123 |
773 |
ICP에서 전자의 가속
[1] | 133 |
772 |
DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지
[1] | 136 |
771 |
파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다
[2] | 145 |
770 |
LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다.
[1] | 146 |
769 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 158 |
정의가 중요합니다. 고온과 저온은 우리가 생각하는 온도 범위와는 차이가 큽니다. 여기서는 주로 eV 에너지 단위를 사용해서 온도를 표시합니다. 일반적으로 온도는 플라즈마 전자의 온도로 가정해도 좋습니다.. 따라서 저온 플라즈마는 (<10eV) 정도의 전자의 열평형상태를 대표하는 온도이며, 이는 주로 산업용으로 쓰이는 플라즈마를 의미합니다. 전자에너지가 낮음은 플라즈마가 모두 이온화 되어 있지 않다는 의미이기 도하며, 이온화율을 1% 정도에서 10% 정도까지, 또는 그 미만으로 부분적으로 이온화된 상태 (partially ionization), 플라즈마 전자+이온+대부분의 중성입자 (라디털포함)으로 이뤄진 상태입니다. 반면 고온 플라즈마는 핵융합 플라즈마와 같이 전자 온도가 수십 keV를 넘는 플라즈마이며 이정도 온도를 가졌기에 대부분의 가스입자들이 완전히 이온화가 된 상태, fully ionization 상태를 의미하게 됩니다. 따라서 저온 플라즈마에서는 플라즈마의 물리적 특성과 함께 화학적 특성과 중성입자의 거동을 함께 고려해야 하며, 고온 플라즈마에서는 주로 물리적 특성과, 대부분이 자화된 상태로 구속되어 있으므로 자기장에서의 성질을 함께 고려해야 한다는 의미를 함축하고 있습니다.