Remote Plasma RPS를 이용한 SIO2 에칭
2020.05.15 23:53
안녕하세요 교수님
현재 반도체업에 종사하고 있습니다. 궁금한 게 있어서 질문드립니다.
FSG, USG 공정 후 RPS로 Chamber cleaning 을 진행하고
Ignition에 AR 을 사용, 에칭에 NF3를 단독으로 사용하고 있습니다.
1. NF3 단독 사용과 NF3에 O2를 추가했을 때 장단점이 무엇이 있을까요?
2. NF3가 해리되고 N이 생성되어 질화막을 형성하면 Particle 원인이 될 수 있을까요?
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20189 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 13 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 33 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 59 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 62 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
| 782 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 80 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 85 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 111 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 112 |
| 777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 113 |
| 776 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
| 775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 124 |
| 774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 128 |
| 773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 137 |
| 771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
| 770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 149 |
표면 식각 및 세정 화학반응을 전북대학교 임연호교수님 연구실 혹은 성균관대학교 염근영교수님 연구실로 문의드려 보십시오.
다만, Remote plasma는 소스 부와 반응부 사이의 거리가 먼 특징이 있는데, 소스 부에서 해리되어 생성된 세정 화학물 (라디컬)들이
확산을 통해 타킷까지 전달되는 동안에 재결합 등을 통한 변화가 많아, 소스 부의 현상과 타킷 근방의 생성종의 밀도 변화는
물리적으로 소스부의 가열특성과 확산 거리 (재결합 반응 길이)의 함수로서 결정될 수가 있겠습니다. 이 기준으로 입력 값을 해석하고
이를 기반으로 표면에서 반응과 결합해서 해석하면 공정 제어 방법을 찾는데 도움이 될 것 같습니다.