안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5817
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17284
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53114
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64497
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85109
698 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 23
697 CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] 54
696 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 67
695 ICP lower power 와 RF bias [1] 81
694 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 100
693 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 124
692 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 155
691 plasma modeling 관련 질문 [1] 159
690 ESC DC 전극 Damping 저항 161
689 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 169
688 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 183
687 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 211
686 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 217
685 plasma striation 관련 문의 [1] file 219
684 RF Sputtering Target Issue [1] file 219
683 Polymer Temp Etch [1] 224
682 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 232
681 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 235
680 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 240
679 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 246

Boards


XE Login