Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다.
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76727 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20183 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68698 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
| 789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 11 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 33 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 58 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 62 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 79 |
| 782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 85 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 111 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 112 |
| 777 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 112 |
| 776 | skin depth에 대한 이해 [1] | 123 |
| 775 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 124 |
| 774 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 126 |
| 773 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 136 |
| 771 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
| 770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 148 |
먼저 성균대학교 염근영교수님의 역저, "플라즈마 식각기술"을 추천드립니다.