Etch doping type에 따른 ER 차이
2022.02.22 19:14
안녕하세요.
반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.
다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.
Gas는 Cl2 N2 base로
Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는
SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데
Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는
Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.
혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?
P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서
그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?
Bonding energy나
Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서
결론을 못내리고 있습니다.
추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?
감사합니다.
이주현 드림.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
563 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1062 |
562 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1063 |
561 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1072 |
560 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1079 |
559 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1088 |
558 | 전자 온도 구하기 [1] | 1098 |
557 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1099 |
556 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1101 |
555 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1107 |
554 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1114 |
553 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1118 |
552 | wafer bias [1] | 1119 |
551 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1119 |
550 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1122 |
549 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1122 |
548 | 자기 거울에 관하여 | 1130 |
547 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1133 |
546 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1134 |
545 | 공정플라즈마 [1] | 1136 |
544 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1141 |
지금은 잊었습니다만 관련 주제의 연구 결과를 읽은 적이 있습니다. 당연히 식각률이 달랐던 것으로 기억합니다. 선행 연구가 있으니 한번 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.
아울러 표면 화학과 관련해서는 전북대학교 임연호 교수님께서 MD 시뮬레이션 연구 결과를 참고하시면 도움이 되실 것 같습니다.