건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
152 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2089
151 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2092
150 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 2115
149 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] 2162
148 플라즈마볼 제작시 [1] file 2214
147 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2225
146 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2274
145 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2318
144 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2340
143 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2423
142 질문있습니다. [1] 2544
141 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2716
140 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2719
139 CVD 공정에서의 self bias [1] 3032
138 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3163
137 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3167
136 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3224
135 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3315
134 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3362
133 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3390

Boards


XE Login