질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92197 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76683
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68679
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92197
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
26 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2319
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2439
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2626
23 PR wafer seasoning [1] 2699
22 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2731
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2869
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2958
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2961
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3514
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3963
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4263
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5254
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5449
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5821
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6236
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6541
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9504
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12472
8 ICP 식각에 대하여... 16913

Boards


XE Login