Ion/Electron Temperature 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다.
2009.06.25 00:50
안녕하세요
플라즈마를 공부하는 대학원생입니다.
질문내용은 플라즈마내 전자온도의 의미입니다. 높고낮다는건 에너지가 높고 낮음을 얘기 할수도 있다고 하는데요.
높으면 에너지가 상대적으로 커서 다른 particle에 에너지를 많이 줄수 잇다는 의미인가요? 이 맥락은 플라즈마내 heating이론과 연관되어 있는것 같은데 EEDF와도 연관이 있는데 도무지 연결을 어떻게 해서 이해를 해야하는지요
또한 ICP에선 공정압력증가시 전자온도가 감소하는 이유는 무엇인지요 ..그리고 파워증가시에도 점차 감소하는 경향은
어떻게 설명해야하는지요.. 파워증가시 밀도도 당연히 증가하는데 이러한 상태에서 전자온도가 1-2eV로 작은경우
etch공정시의 어떤장점(미세패턴의 식각)에 유리하다고 하는데 그이유는 무엇인지요..
답변 부탁드립니다..
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76711 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20163 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57163 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68686 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92248 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 19 |
| 787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 51 |
| 786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
| 785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 61 |
| 784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 68 |
| 783 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 70 |
| 782 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 79 |
| 781 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 81 |
| 780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 779 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 100 |
| 778 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 107 |
| 777 | Microwave & RF Plasma [1] | 108 |
| 776 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 113 |
| 775 | skin depth에 대한 이해 [1] | 118 |
| 774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 122 |
| 773 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 131 |
| 772 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 136 |
| 771 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 145 |
| 770 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
| 769 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 156 |