안녕하세요

반도체 설비 제조 업체 연구소에 근무 하는 하태경 이라고 합니다.

Plasma 진단 에 관련한 질문 있어 글을 씁니다.


저희 회사는 remote plasma를 사용하는 반도체 ashing 설비를 생산 하고 있습니다.

Plasma source는 ICP type 입니다. matcher에 VI sensor가 장착 되여 있습니다. matcher와 source 사이에 VI sensor가 위치합니다.

plasma source - baffle - process chamber 구조로 source에서 생성되는 radical의 down stream 으로 ashing를 진행 합니다.

chuck은 히팅외에는 다른 역할를 하지 않습니다.


여기서 질문은 VI sensor를 활용하여 어떠한 진단을 할 수 있는지가 궁금합니다.

현재 monitroing 해본 것으로는, end point를 보려 했지만 값이 변화하지 않습니다.. 케미스트리 변화에는 값이 변화 합니다.

VI sensor로 진단 가능한 부분이나 사례등이 있으시면 무엇이라도 좋습니다 답변 부탁 드립니다.

예로 PM 주기 monitoring 등도 좋은 아이템이 될것 같습니다.

감사합니다


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [131] 5625
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16925
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51354
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64229
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84395
693 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. 17
692 plasma modeling 관련 질문 20
691 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 63
690 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 70
689 ESC DC 전극 Damping 저항 72
688 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 80
687 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 119
686 RF Sputtering Target Issue [1] file 133
685 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 137
684 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 138
683 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 152
682 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 152
681 Polymer Temp Etch [1] 154
680 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 155
679 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 157
678 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 167
677 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 167
676 plasma striation 관련 문의 [1] file 171
675 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 198
674 RPSC를 이용한 SiO, SiN Etch 관련 문의드립니다. [1] 203

Boards


XE Login