안녕하세요.

PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안

처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.

그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.

보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.

혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?

그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?

이 두 부분이 궁금합니다.

생뚱맞는 질문일수도 있지만,

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4931
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16299
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51252
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63767
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83577
679 plasma striation 관련 문의 file 7
678 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 24
677 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 31
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 file 38
675 Polymer Temp Etch [1] 62
674 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 62
673 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 83
672 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 86
671 Plasma Arching [1] 106
670 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 107
669 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 142
668 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 159
667 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 202
666 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 205
665 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 206
664 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 206
663 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 208
662 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 215
661 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 222
660 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 253

Boards


XE Login