Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:1636

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4940
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16311
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51253
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63772
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83583
679 plasma striation 관련 문의 file 19
678 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 29
677 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. [1] 37
676 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 file 38
675 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 65
674 Polymer Temp Etch [1] 67
673 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 83
672 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 92
671 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 108
670 Plasma Arching [1] 114
669 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 144
668 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 159
667 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 [1] 206
666 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 208
665 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 208
664 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 210
663 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 212
662 안녕하세요 DBD 플라즈마 소독 관련질문입니다. [1] 215
661 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 225
660 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 257

Boards


XE Login