Process 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다.
2021.07.12 10:28
안녕하세요.
반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.
Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.
CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.
로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.
RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.
제가 궁금한 점은
1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?
2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?
3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?
이상입니다. 감사합니다!
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76670 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20149 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57149 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68669 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92162 |
787 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 50 |
786 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 54 |
785 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 59 |
784 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 60 |
783 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 66 |
782 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 67 |
781 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 78 |
780 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 81 |
779 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 92 |
778 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 95 |
777 | skin depth에 대한 이해 [1] | 99 |
776 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 101 |
775 | Microwave & RF Plasma [1] | 103 |
774 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 117 |
773 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 | 125 |
772 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 126 |
771 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 135 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 135 |
769 | LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] | 146 |
768 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 149 |